Ön ucunu qəbul edən mobil televiziya vericidən çox uzaqda işləmək və güclü bir siqnal olduqda həddindən artıq yüklənməyə dözmək üçün tələb olunan həssaslığa sahib olmalıdır. Avtomobillər arasında əyləncə (ICE) sistemlərinə, həmçinin mobil telefonlar, portativ rəqəmsal köməkçilər (PDA) və dizüstü kompüterlər kimi müxtəlif portativ elektron cihazlarda mobil televiziya qəbul etmə qabiliyyətlərinə inteqrasiya edilə bilər. istifadəçinin alıcısı və vericisi dəyişir. Dəyişən cədvəl şəraitində də yaxşı fəaliyyət göstərməlidir (ənənəvi yayım və televiziyadan fərqli). Yüksək qazanclı aşağı səs-küylü gücləndiricinin (LNA) PIN diod bypass anahtarı ilə birləşdirilməsi, həddindən artıq yükdən qorunma və yüksək həssaslıqla mobil TV qəbuledicisi ön tərəfi üçün ucuz qiymətli bir həll əldə edə bilər.
Mobil TV qəbuledicisini həyata keçirməyin ən praktik yolu güclü siqnal şəraitində alıcının qazancını azaltmaqdır. Dəyişən RF siqnal qazancı, mikser mərhələsinin xətti tələblərini asanlaşdırır və alıcı modulları qurmaq üçün ucuz qiymətli RF IC istifadə etməyə imkan verir. Dəyişdirilə bilən / tənzimlənən qazanc alıcısının ön tərəfi olan bir kaskad analizində, giriş üçüncü dərəcəli intermodulyasiya kəsmə nöqtəsinin (IIP3) yaxşılaşdırılması qazanc dəyişikliyinin bir funksiyası olacaqdır. Sabit qazanc alıcıları ilə müqayisədə, tənzimlənən qazanc alıcıları güclü siqnalları daha yaxşı idarə edə bilər.
Avtomatik qazanc nəzarəti (AGC) dövrəsi LNA qazancını dəyişdirmək üçün də istifadə edilə bilər və AGC ümumiyyətlə kanal filtrindən əvvəl tətbiq olunduğu üçün bitişik kanal ötürülməsindən aşırı yüklənməyə cavab verə bilər.
RF qazancını azaltmanın bir yolu, RF siqnalının bir hissəsini LNA-dan əvvəl yerə şuntlamaqdır. Bu metod ən az sayda RF keçid elementindən istifadə edir, lakin açar söndürüldükdə, empedans uyğun gəlməyəcək və bu sistemin digər hissələrini təsir edə bilər. Çözüm, söndürmə elementini LNA paralel rezonans şəbəkəsinin yüksək empedansına və ya "isti" ucuna bağlamaqdır, baxmayaraq ki, daha böyük bir qazanc nəzarət aralığı baxımından bu yanaşma LNA-dan əvvəl RF seçiciliyini qurban verir.
Alınan siqnal LNA-nın arxasındakı mərhələləri (məsələn, bir qarışdırıcı və ya ara tezlik (IF) gücləndiricisi kimi) çox yüklədikdə, LNA mərhələsini atlamaq üçün bir cüt RF açarı da istifadə edilə bilər. Baypas vəziyyətində giriş siqnalı birbaşa aşağı çevirici IC-yə ötürülür. Baypas siqnal döngəsindəki komponentlər xarakterik empedansa uyğun gəldikcə (mobil TV 75Ω), uyğunsuzluq şansı minimuma endiriləcəkdir. Əlbəttə ki, əlavə edilmiş keçid dövrəni daha mürəkkəbləşdirir.
Başqa bir yol, LNA-nın aktiv cihazına verilən səssiz cərəyanı azaldaraq RF qazancını azaltmaqdır. Bu texnologiyanı istifadə edən ikiqat qapılı MOSFET kimi gücləndiricilər və cihazlar qərəzli cərəyanı idarə etmək üçün əlavə cihaz terminallarından istifadə edirlər. Heç bir keçid elementi istifadə edilmədiyi üçün bu qazanc nəzarət metodu dövrədəki ən sadədir, lakin kollektor / boşaltma axını nominal cihazın DC işləmə nöqtəsindən daha aşağı olduğundan xətti qurban verilir.
47 ~ 870MHz spektrində işləyən cüt rejimli (analog / rəqəmsal) mobil televiziya alıcılarında LNA üçün müştəri tələblərini ödəmək üçün bir neçə MMIC variantı nəzərdən keçirildi, lakin xətti kifayət qədər yaxşı olmadığı üçün qəbul edilmədi. Burada geniş zolaqlı yüksək xəttli MMIC LNA (MGA-68563 tipi) və bir sxem tərtib etmək üçün xarici PIN diod açarını qəbul edir.
Bu birpilləli GaAs PHEMT LNA cihazının qapısı eni 800 mikrondur (şəkil 3). Cihazın qapısı, proses dəyişikliklərinin təsirlərini tamamlamaq və eşik voltaj dəyişikliklərinin təsirlərini minimuma endirmək üçün daxili bir cərəyan güzgüsünə bağlıdır. LNA sabitliyi əldə etmək və 3MHz ~ 1.5GHz spektrində bir 100dB pəncərəsi (± 1dB) içərisində amplituda reaksiyanı sabitləşdirmək üçün itkin mənfi rəylərdən istifadə edir.
Daxili rəy və çıxış qaytarma itkisi 10dB-dən aşağı olduğu üçün bu MMIC çıxış empedansı uyğunluğuna ehtiyac duymur. Bununla birlikdə, girişin bu qədər geniş bir tezlik aralığında (47 ~ 870MHz) uyğunlaşdırılması çətin oldu və qeyri-ənənəvi bir metod tələb olunur. Giriş qaytarma itkisi indeksini optimallaşdırmaq üçün FET-in boşaltma axını (Ids) yüksək olmalıdır Nominal dəyər 10mA-dır. 20mA İD-lər giriş qaytarma itkisi performans tələblərinə cavab verə bilər, lakin İD-lər əlavə PIN diod keçid dövrəsinin yaratdığı hər hansı bir təsiri kompensasiya edəcək qədər geniş etmək üçün 30mA olaraq seçilmişdir. MMIC LNA-nın 4-cü pimi xarici bir müqavimətçi R1 vasitəsilə daxili qərəzli cərəyan generatorundan axan cərəyanı idarə edir. R1 ölçüsünün dəyişdirilməsi Ids dəyişəcək, lakin Vd enerji təchizatı gərginliyi 3V-də qalacaq. Nominal İD-lərin üç qatından daha yüksək xətti təmin edə bilər.
LNA / keçid dövrü dizayn edilərkən, başlanğıcda bypass keçidində 4 PİN diod istifadə edilmişdir. Bu cüt dirəkli cüt atış (DPDT) açarları üçün ümumi bir konfiqurasiyadır. Bu dövrənin iş prinsipi yuxarı hissədəki PİN diod cütlüyünü keçirtmək və alt hissədəki cütü sıfır qərəzli etmək və əksinə etməkdir. Normal iş rejimində yalnız aşağı cüt PIN diodları aparır və LNA RF siqnalını gücləndirir. RF qazancının azaldılması lazım olduqda, üst cüt PIN diodları açılır və RF siqnalı bypass rejimində LNA ətrafında yönləndirilir. Bu rezistorlar PIN diodunun irəli cərəyanını tənzimləmək və RF siqnalını VSW1 və VSW2 məntiqi idarəetmə limanlarından təcrid etmək üçün istifadə olunur. İlk dizayn bir çox komponentdən istifadə etdi, buna görə daha sadə bir həll tələb olundu.
Müştərilərlə ünsiyyət quraraq, sadəcə baypas yolunu giriş və çıxış limanlarına bağlamaq və ya ayırmaq üçün lazım olan daha sadə bir cüt dirəkli tək atma (DPST) açarı inkişaf etdirdik. LNA yolunun keçid nəzarəti artıq həyata keçirilmədiyi üçün qərəzsiz FET-in özünəməxsus izolyasiya xüsusiyyətlərindən istifadə etmək üçün LNA enerji təchizatı (Vdd) bypass rejimində söndürülməlidir. Bu yanaşma, keçid yolunun qaytarma itkisi performansını azaldır, çünki bu yol qərəzsiz FET-lərə paralel olaraq sonlu qapı və drenaj empedansına malikdir.
Normal işləmə zamanı PIN diod enerji təchizatı qapalıdır (VSW = 0V), LNA enerji təchizatı isə hələ 3V-ə bərpa olunur. Bununla birlikdə, bu sıfır qərəzli PIN diodları parazitar kapasitansdan təsirlənir, buna görə də LNA-nın qazma və qaytarma itkisi performansı baypas yolunun giriş və çıxış limanlarından natamam təcrid olunması səbəbindən pozulur.
Bizim digər məhsul:
